FDG312P中文资料P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-1.2 A，180 mΩ数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 这些器件非常适合便携式电子产品应用。

特性 Features

•-1.2 A，-20 V。 RDS(on) = 0.18 Ω @ VGS = -4.5 V RDS(on) = 0.25 Ω @ VGS = -2.5 V。
• RDS(on) = 0.18 Ω @ VGS = -4.5 V
• RDS(on) = 0.25 Ω @ VGS = -2.5 V
•低栅极电荷（3.3 nC，典型值）。
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)。
•紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.