P-Channel 2.5V Specified PowerTrench??MOSFET

General Description This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices are well suited for portable e

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Fairchild

仙童半导体

P-Channel 20V (D-S) MOSFET

Application Interfacing Switching » Portable equipment and battery Load Switch

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TECHPUBLIC

台舟电子

P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-1.2 A，180 mΩ

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 这些器件非常适合便携式电子产品应用。 •-1.2 A，-20 V。 RDS(on) = 0.18 Ω @ VGS = -4.5 V RDS(on) = 0.25 Ω @ VGS = -2.5 V。\n• RDS(on) = 0.18 Ω @ VGS = -4.5 V\n• RDS(on) = 0.25 Ω @ VGS = -2.5 V\n•低栅极电荷（3.3 nC，典型值）。\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)。\n•紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。;

ONSEMI

安森美半导体

Selection Guide

SANKEN IGBT FGT313, FGT312, FGT412, FGT612, FGM622S, FGM603, FGM623S, MGD623N, MGD623S

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Sanken

三垦

2-PACK MOSFET MODULE

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KEC

KEC(Korea Electronics)

12V 1Watt 27MHz Transmitter

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