FDG1024NZ数据手册ONSEMI中文资料规格书

描述 Description

该双N和P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。 由于不需要偏压电阻，该双通道数字FET可取代数个具有不同偏压电阻值的数字晶体管。

特性 Features

•VGS = 4.5 V，ID = 1.2 A时，rDS(on) = 175 mO（最大值）
•VGS = 2.5 V，ID = 1.0 A时，rDS(on) = 215 mO（最大值）
•VGS = 1.8 V，ID = 0.9 A时，rDS(on) = 270 mO（最大值）
•VGS = 1.5 V，ID = 0.8 A时，rDS(on) = 389 mO（最大值）
•HBM静电放电保护等级为>2kV（注3）
•极低电平的栅极驱动要求允许在 1.5 V 电路 (VGS(th) < 1 V) 中进行操作
•非常小的封装尺寸SC70-6
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.