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FDG327N中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,20V,1.5 A,90 mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDG327N

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,20V,1.5 A,90 mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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FDG327N规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 它专为小型开关调节器而优化,可在小型封装中提供极低的RDS(ON)和栅极电荷(QG)。

特性 Features

•1.5 A,20 V
•RDS(on) = 90 mΩ@ VGS = 4.5 V
•RDS(on) = 100 mΩ @ VGS = -2.5V
•RDS(on) = 140 mΩ @ VGS = -1.8V
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•高功率和高电流处理能力。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDG327N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :20

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :1.5

  • ID Max (A)

    :1.5

  • PD Max (W)

    :0.42

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :100

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :90

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :3.7

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :4.5

  • Ciss Typ (pF)

    :423

  • Package Type

    :SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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