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FDG6301N_F085数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDG6301N_F085规格书详情
描述 Description
这些双N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高电池密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。
特性 Features
•25 V、0.22 A 持续电流，0.65 A 峰值。
•RDS(ON) = 4 W Ω VGS= 4.5 V，
•RDS(ON) = 5 W Ω VGS= 2.7 V。
•极低电平的栅极驱动要求允许直接在 3 V 电路 (VGS(th) < 1.5 V) 中进行操作。
•栅源齐纳二极管可实现ESD稳固性（>6kV人体模型）。
•紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。
•符合 AEC Q101 标准
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 信息娱乐
• 便携导航
• 信息娱乐
• 其他
• 传动系
• 安全和控制
• 舒适与便捷
• 人体电子
• 车辆安全系统
• 其他车用
技术参数
- 制造商编号
：FDG6301N_F085
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：25
- VGS Max (V)
：8
- VGS(th) Max (V)
：1.5
- ID Max (A)
：0.22
- PD Max (W)
：0.3
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=5000
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=4000
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：1.1
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：0.29
- Ciss Typ (pF)
：9.5
- Package Type
：SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
on |
24+ |
na |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2023+ |
SC70-6 |
12000 |
专注全新正品,优势现货供应 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
SOT-363 |
600 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2223+ |
SC70-6 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SC70-6 |
12080 |
原装正品 |
询价 | ||
VB |
25+ |
SC70 |
18985 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SC70-6 |
504748 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
on |
23+ |
na |
9000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 |
