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FDG6301N_F085中文资料双 N 沟道，数字 FET，25V，0.22A，4Ω数据手册ONSEMI规格书
FDG6301N_F085规格书详情
描述 Description
这些双N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高电池密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。
特性 Features
•25 V、0.22 A 持续电流，0.65 A 峰值。
•RDS(ON) = 4 W Ω VGS= 4.5 V，
•RDS(ON) = 5 W Ω VGS= 2.7 V。
•极低电平的栅极驱动要求允许直接在 3 V 电路 (VGS(th) < 1.5 V) 中进行操作。
•栅源齐纳二极管可实现ESD稳固性（>6kV人体模型）。
•紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。
•符合 AEC Q101 标准
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 信息娱乐
• 便携导航
• 信息娱乐
• 其他
• 传动系
• 安全和控制
• 舒适与便捷
• 人体电子
• 车辆安全系统
• 其他车用
技术参数
- 制造商编号
：FDG6301N_F085
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：25
- VGS Max (V)
：8
- VGS(th) Max (V)
：1.5
- ID Max (A)
：0.22
- PD Max (W)
：0.3
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=5000
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=4000
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：1.1
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：0.29
- Ciss Typ (pF)
：9.5
- Package Type
：SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
6327 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
SC706 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
VB |
25+ |
SC70 |
18985 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON/FAIRCHILD |
20+ |
SC70-6 |
36800 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ON |
19+ |
SC70-6 |
9000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
on |
23+ |
na |
9000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
on |
24+ |
na |
8000 |
原装，正品 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
SC-70-6 |
14911 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SC70-6 |
50000 |
只做原装正品 |
询价 |
