Dual N-Channel, Digital FET

General Description These dual N-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especi

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Fairchild

仙童半导体

Dual N-Channel, Digital FET

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Fairchild

仙童半导体

Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Dual N-Channel, Digital FET

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Fairchild

仙童半导体

双N沟道数字FET

这些双N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高电池密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。 •25V、0.50A（连续值）、1.5A（峰值）。\n•RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS = 4.5 V，\n•RDS(ON) = 0.60 Ω @ VGS = 2.7 V。\n•电平栅极驱动要求极低，从而可在3V电路中直接运行(VGS(th)< 1.5 V)。\n•栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力（>6kV人体模型）。\n•紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。;

ONSEMI

安森美半导体