FDG6304P中文资料双 P 沟道，数字 FET，-25V，0.41A，1.1Ω数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

这些P沟道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度、DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。

特性 Features

•-25 V、-0.41 A（连续值）、-1.5 A（峰值）。
•RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS = 4.5 V，
•RDS(ON) = 1.5 Ω @ VGS= -2.7 V。
•电平栅极驱动要求极低，从而可在3V电路中直接运行(VGS(th)< 1.5 V)。
•栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力（>6kV人体模型）。
•紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

FDG6304P属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的FDG6304P晶体管 - FET，MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。