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FDG6316P数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDG6316P

功能描述

P 沟道 1.8V 指定 PowerTrench® MOSFET -12V,-0.7A,270 mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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FDG6316P规格书详情

描述 Description

此P沟道1.8V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的低压PowerTrench工艺生产。 它已针对电池的电源管理应用进行了优化。

特性 Features

• -0.7 A,-12 V。
• RDS(ON) = 270 mΩ @ VGS = -4.5 V
• RDS(ON) = 360 mΩ @ VGS = -2.5 V
• RDS(ON) = 650 mΩ @ VGS = 1.8 V
• 低栅极电荷
• 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
• 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDG6316P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-12

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.5

  • ID Max (A)

    :-0.7

  • PD Max (W)

    :0.3

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=360

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=270

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :0.86

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :1.7

  • Ciss Typ (pF)

    :146

  • Package Type

    :SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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