FDG6313N中文资料Dual N-Channel, Digital FET数据手册ONSEMI规格书
技术参数
- 型号:
FDG6313N
- 功能描述:
MOSFET 25V Dual N-Ch Digital
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
27000 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT363 |
790 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
SOT-363 |
14726 |
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FSC |
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SOT363 |
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询价 | ||
ON |
23+ |
SOT-363 |
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询价 | ||
FSC |
23+ |
SOT363 |
30000 |
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ON/安森美 |
23+ |
SC70-6 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
SC70-6 |
10000 |
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询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
SC70-6 |
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