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FDG6314P中文资料MOSFET 2P-CH 25V SC70-6数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDG6314P

参数属性

FDG6314P 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列;产品描述:MOSFET 2P-CH 25V SC70-6

功能描述

MOSFET 2P-CH 25V SC70-6

封装外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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FDG6314P规格书详情

简介

FDG6314P属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的FDG6314P晶体管 - FET,MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FDG6314P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • FET 功能

    :标准

  • 漏源电压(Vdss)

    :25V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

    :-

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

    :-

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

    :-

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

    :-

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

    :-

  • 功率 - 最大值

    :-

  • 工作温度

    :-

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装

    :SC-88(SC-70-6)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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