FDG6318P中文资料双 P 沟道，数字 FET，-20 V，-0.5 A，780 mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDG6318P规格书详情
描述 Description
这些双P沟道逻辑电平增强模式MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。
特性 Features
-0.5A，-20V
RDS(ON) = 780 mΩ @ VGS = -4.5V
RDS(ON) = 1200 mΩ @ VGS = -2.5V
电平栅极驱动要求极低，从而可在3V电路中直接运行(VGS(th)< 1.5 V)
紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装
应用 Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDG6318P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： Dual P-Channel
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：-20
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：-1.5
- ID Max (A)
：-0.5
- PD Max (W)
：0.3
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=1200
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=780
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-0.86
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：0.86
- Ciss Typ (pF)
：83
- Package Type
：SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
1108 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FSC |
2016+ |
SOT363 |
2600 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT363 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SC70-6 |
43394 |
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询价 | ||
FAIRCHILD |
2023+ |
SMD |
7661 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
13+ |
SOT363 |
1444 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
23+ |
SOT-363 |
3309 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
SOT363 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 |
