FDG6318P数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDG6318P规格书详情
描述 Description
这些双P沟道逻辑电平增强模式MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。
特性 Features
-0.5A，-20V
RDS(ON) = 780 mΩ @ VGS = -4.5V
RDS(ON) = 1200 mΩ @ VGS = -2.5V
电平栅极驱动要求极低，从而可在3V电路中直接运行(VGS(th)< 1.5 V)
紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装
应用 Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDG6318P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： Dual P-Channel
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：-20
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：-1.5
- ID Max (A)
：-0.5
- PD Max (W)
：0.3
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=1200
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=780
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-0.86
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：0.86
- Ciss Typ (pF)
：83
- Package Type
：SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
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FAIRCHILD/仙童 |
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SOT363 |
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ONSEMI/安森美 |
25+ |
SC70-6 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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FAIRCHILD |
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SOT363 |
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FSC/ON |
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ON/安森美 |
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Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
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20094 |
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Fairchild |
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FSC |
24+ |
SC-70 |
5000 |
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询价 |
