FDG6322C数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDG6322C规格书详情
描述 Description
双N&P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用了飞兆半导体专有的高单元密度、DMOS技术。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。 由于不需要偏压电阻，该双通道数字FET可取代数个具有不同偏压电阻值的数字晶体管。
特性 Features
• N-Ch 0.22 A, 25 V, RDS(ON) = 4.0 W @ VGS= 4.5 V,
• P-Ch -0.41 A,-25V, RDS(ON) = 1.1 W @ VGS= -4.5V,
• 非常小的封装尺寸 SC70-6。
• 极低的栅极驱动要求允许 3V 电路的直接运行 (V GS(th) < 1.5 V)
• 栅-源齐纳二极管可增强耐静电放电能力（>6kV人体模型）。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDG6322C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：Complementary
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：±25
- VGS Max (V)
：-8
- VGS(th) Max (V)
：±1.5
- ID Max (A)
：N:0.22
- PD Max (W)
：0.3
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：N:5000
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：N: 450
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：1.1
- Ciss Typ (pF)
：62
- Package Type
：SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
SC70-6 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SC70-6 |
16681 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
2023+ |
SOT363 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SC70-6 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SC70-6 |
12000 |
只做原装合作共赢长期订货 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2511 |
SC-70-6 |
4945 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
fairchil |
24+ |
SC70-6 |
2650 |
原装优势!绝对公司现货 |
询价 | ||
ON |
21+ |
SOT23 |
1356 |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SC70-6 |
195 |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
SC70-6 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 |
