FDG6322C中文资料双 N 和 P 沟道数字 FET 25V数据手册ONSEMI规格书
FDG6322C规格书详情
描述 Description
双N&P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用了飞兆半导体专有的高单元密度、DMOS技术。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。 由于不需要偏压电阻，该双通道数字FET可取代数个具有不同偏压电阻值的数字晶体管。
特性 Features
• N-Ch 0.22 A, 25 V, RDS(ON) = 4.0 W @ VGS= 4.5 V,
• P-Ch -0.41 A,-25V, RDS(ON) = 1.1 W @ VGS= -4.5V,
• 非常小的封装尺寸 SC70-6。
• 极低的栅极驱动要求允许 3V 电路的直接运行 (V GS(th) < 1.5 V)
• 栅-源齐纳二极管可增强耐静电放电能力（>6kV人体模型）。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDG6322C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：Complementary
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：±25
- VGS Max (V)
：-8
- VGS(th) Max (V)
：±1.5
- ID Max (A)
：N:0.22
- PD Max (W)
：0.3
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：N:5000
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：N: 450
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：1.1
- Ciss Typ (pF)
：62
- Package Type
：SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
SC70-6 |
40048 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT-363 |
54558 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT-363 |
39031 |
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FAIRCHILD |
24+ |
SC70-6 |
20000 |
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ON/安森美 |
21+ |
SC70-6 |
8080 |
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FAIRCHILD |
23+ |
SMD-SUPERSOT |
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FAIRCHILD |
2023+ |
SMD |
12800 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
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FSC |
0127+ |
SC70-6 |
500 |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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FAIRCHILD |
23+ |
SOT-363 |
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