FDG6335N中文资料N 沟道 PowerTrench® MOSFET，20V，0.7A，300mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDG6335N规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 它专为小型开关调节器而优化，可在小型封装中提供极低的RDS(ON)和栅极电荷(QG)。
特性 Features
•0.7A，20V。 RDS(ON) = 300mΩ @ VGS = 4.5V RDS(ON) = 400mΩ @ VGS = 2.5V
•低栅极电荷（1.1nC，典型值）
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
•紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDG6335N
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：20
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：1.5
- ID Max (A)
：0.7
- PD Max (W)
：0.3
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=400
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=300
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：1.03
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：1.1
- Ciss Typ (pF)
：113
- Package Type
：SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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ON/安森美 |
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NA |
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