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FDG6335N数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDG6335N

功能描述

N 沟道 PowerTrench® MOSFET,20V,0.7A,300mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 20:25:00

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FDG6335N规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 它专为小型开关调节器而优化,可在小型封装中提供极低的RDS(ON)和栅极电荷(QG)。

特性 Features

•0.7A,20V。 RDS(ON) = 300mΩ @ VGS = 4.5V RDS(ON) = 400mΩ @ VGS = 2.5V
•低栅极电荷(1.1nC,典型值)
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
•紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDG6335N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :20

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :1.5

  • ID Max (A)

    :0.7

  • PD Max (W)

    :0.3

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=400

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=300

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :1.03

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :1.1

  • Ciss Typ (pF)

    :113

  • Package Type

    :SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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