集成式负载开关

此器件特别适合便携式电子设备的紧凑型电源管理，输入电压为2.5V至8V，输出电流为1.5A。 负载开关集成了一个小型N沟道功率MOSFET (Q1)，在一个小型SC70-6封装中驱动一个大型P沟道功率MOSFET (Q2)。 VGS = 4.5V，ID = -1.5A时，最大rDS(on) = 150mΩ\n VGS = 2.5V，ID = -1.3A时，最大rDS(on) = 195 mΩ\n VGS = 1.8V，ID = -1.1A时，最大rDS(on) = 280 mΩ\n VGS = 1.5V，ID = -0.9A时，最大rDS(on) = 480 mΩ\n 控制MOSFET(Q1)包含增强耐静电放电(ESDruggedness)能力的齐纳二极管保护(>4KV人体模型)\n 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装\n 符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

Integrated Load Switch

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Fairchild

仙童半导体

Package：6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包装：管件 类别：集成电路（IC） 配电开关，负载驱动器 描述：IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88

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安森美半导体

Integrated Load Switch

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Fairchild

仙童半导体

Integrated Load Switch

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ONSEMI

安森美半导体

633nm Lasing Laser Diode

Description The HL6339G/42G is 0.63 µm band AlGaInP laser diode with a multi-quantum well (MQW) structure. Lasing wavelength of this laser is nearly equal to the wavelength of He-Ne gas laser. They are suitable as light sources for laser levelers, laser scanners and optical equipment for measurem

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HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司