44A, 500V, 0.12 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFET

Features • Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and High Reapplied dv/dt Ruggedness • Reduced rDS(ON) • Reduced Miller Capacitance and Low Input Capacitance • Improved Switching Speed with Low EMI • 175°C Rated Junction Temperature

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FAIRCHILD

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 44A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.12Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，44 A，120 mΩ，TO-247

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。 •栅极电荷低 Qg 致使驱动要求简单（典型值） 90nC)\n•经过改善的栅极、雪崩和较高的重加 dv/dt 强度\n•降低 RDS(on) (110mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 22A)\n•降低了米勒电容并实现低输入电容（典型值 Crss = 40pF)\n•可在低 EMI 的情况下提高开关速度\n•175oC 额定结温;

ONSEMI

安森美半导体

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Features • Conforms to SOT-227B outline • Low RDS (on) HDMOSTM process • Rugged polysilicon gate cell structure • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance • Fast intrins

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IXYS

艾赛斯

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode VDSS = 500 V ID25 = 44 A RDS(on) ≤140 mΩ trr ≤200 ns Features International standard packages Unclamped Inductive Switching (UIS) rated Low package inductance - easy to drive and to protect

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IXYS

艾赛斯

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电