FDH44N50中文资料功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，44 A，120 mΩ，TO-247数据手册ONSEMI规格书
FDH44N50规格书详情
描述 Description
UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。
特性 Features
•栅极电荷低 Qg 致使驱动要求简单（典型值） 90nC)
•经过改善的栅极、雪崩和较高的重加 dv/dt 强度
•降低 RDS(on) (110mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 22A)
•降低了米勒电容并实现低输入电容（典型值 Crss = 40pF)
•可在低 EMI 的情况下提高开关速度
•175oC 额定结温
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDH44N50
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：500
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：44
- PD Max (W)
：750
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：120
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：90
- Ciss Typ (pF)
：5335
- Package Type
：TO-247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI |
2020 |
NA |
900 |
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24+ |
TO-247-3 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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仙童 |
05+ |
TO-247 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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1983 |
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