FDH44N50数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDH44N50规格书详情
描述 Description
UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品,基于平面条形技术和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。
特性 Features
•栅极电荷低 Qg 致使驱动要求简单(典型值) 90nC)
•经过改善的栅极、雪崩和较高的重加 dv/dt 强度
•降低 RDS(on) (110mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 22A)
•降低了米勒电容并实现低输入电容(典型值 Crss = 40pF)
•可在低 EMI 的情况下提高开关速度
•175oC 额定结温
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDH44N50
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:500
- VGS Max (V)
:±30
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:44
- PD Max (W)
:750
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:120
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:90
- Ciss Typ (pF)
:5335
- Package Type
:TO-247-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHI |
2016+ |
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