FDG6332C中文资料20V N&P沟道Power Trench® MOSFET数据手册ONSEMI规格书
FDG6332C规格书详情
描述 Description
这些N和P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。这些器件经过专门设计，能以极小的尺寸提供极低的功耗，非常适合那些不宜采用更大更昂贵的TSSOP-8和SSOP-6封装的应用。
特性 Features
•Q1 0.7A, 20V. RDS(ON) = 300mΩ @ VGS = 4.5V RDS(ON) = 400mΩ @ VGS = 2.5V
•Q2 -0.6A, -20V. RDS(ON) = 420mΩ @ VGS = -4.5V RDS(ON) = 630mΩ @ VGS = -2.5V
•低栅极电荷
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
•SC70-60封装 小尺寸（比标准SSOT-6小51%）；薄型（1mm厚）。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDG6332C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：Complementary
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：±20
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：±1.5
- ID Max (A)
：N: 0.7
- PD Max (W)
：0.3
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：N:400
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：N: 300
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：1.1
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：1.4
- Ciss Typ (pF)
：114
- Package Type
：SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
SC70-6 |
67048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
2016+ |
SC70-6 |
6000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
SC70-6 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
18+ |
SOT-363 |
30000 |
询价 | |||
ON/安森美 |
22+ |
SC70-6 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT363 |
163 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
原装 |
25+ |
SOT363 |
20300 |
原装特价FDG6332C即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
FAICHILD |
24+ |
SC70-6 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
询价 | ||
23+ |
原厂封装 |
11888 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | |||
VBsemi |
21+ |
SC70-6 |
10065 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
