FDG6332C数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDG6332C规格书详情
描述 Description
这些N和P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。这些器件经过专门设计，能以极小的尺寸提供极低的功耗，非常适合那些不宜采用更大更昂贵的TSSOP-8和SSOP-6封装的应用。
特性 Features
•Q1 0.7A, 20V. RDS(ON) = 300mΩ @ VGS = 4.5V RDS(ON) = 400mΩ @ VGS = 2.5V
•Q2 -0.6A, -20V. RDS(ON) = 420mΩ @ VGS = -4.5V RDS(ON) = 630mΩ @ VGS = -2.5V
•低栅极电荷
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
•SC70-60封装 小尺寸（比标准SSOT-6小51%）；薄型（1mm厚）。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDG6332C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：Complementary
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：±20
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：±1.5
- ID Max (A)
：N: 0.7
- PD Max (W)
：0.3
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：N:400
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：N: 300
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：1.1
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：1.4
- Ciss Typ (pF)
：114
- Package Type
：SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHI |
23+ |
SC70-6 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
SOT-363 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2223+ |
SC70-6 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2023+ |
SC70-6 |
8232 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
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NSC70 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ON/安森美 |
2019+ |
SOT-363 |
78550 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
FDG6332C |
24+ |
NA |
24000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SC70-6 |
9000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SC70-6 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
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SOT363 |
30000 |
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询价 |
