FDG8842CZ中文资料互补，PowerTrench® MOSFET，30V/-25V数据手册ONSEMI规格书
FDG8842CZ规格书详情
描述 Description
这些双N沟道和P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度、DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。 由于不需要偏压电阻，该双通道数字FET可取代数个具有不同偏压电阻值的数字晶体管。
特性 Features
• Q1： N沟道
• Q2: P-ChannelMax rDS(on) = 1.1Ω at VGS = -4.5V, ID = -0.41AMax rDS(on) = 1.5Ω at VGS = -2.7V, ID = -0.25A
• 电平栅极驱动要求极低，从而可在3V电路中直接运行(VGS(th)<1.5 V)
• 非常小的封装尺寸SC70-6
• 符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDG8842CZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：Complementary
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：±25
- VGS Max (V)
：-8
- VGS(th) Max (V)
：±1.5
- ID Max (A)
：N:0.75
- PD Max (W)
：0.36
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：N:500
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：N: 400
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：1.2
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：1.2
- Ciss Typ (pF)
：70
- Package Type
：SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
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FAIRCHILD |
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ON/安森美 |
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FAIRCHILD |
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