FDG6335N中文资料N-Channel MOSFET数据手册XW规格书
技术参数
- 型号:
FDG6335N
- 功能描述:
MOSFET FDG6335N
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
9843 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-323-6 |
61048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON/安森美 |
19+ |
NA |
56990 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT-363 |
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FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT363 |
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FAIRCHILD |
24+ |
SC70-6 |
20000 |
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ON/安森美 |
21+ |
SC-70-6(SOT-363) |
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只做原装,质量保证 |
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ON |
2021+ |
SOT-363-6 |
18000 |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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FAIRCHILD |
24+ |
SC70-6 |
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