FDG6332C数据手册XW中文资料规格书
技术参数
- 型号:
FDG6332C
- 功能描述:
MOSFET 20V N&P-Channel Power Trench
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT363 |
163 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SC70-6 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
原装 |
25+ |
SOT363 |
20300 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
18+ |
SOT-363 |
30000 |
询价 | |||
FAICHILD |
24+ |
SC70-6 |
20000 |
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
1844+ |
NSC70 |
9852 |
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ONSEMI |
两年内 |
N/A |
57461 |
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VBsemi |
21+ |
SC70-6 |
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ON/安森美 |
25+ |
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