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FDG6332C_F085数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDG6332C_F085规格书详情
描述 Description
这些双N和P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。这些器件经过专门设计，能以极小的尺寸提供极低的功耗，非常适合那些不宜采用更大更昂贵的TSSOP-8和SSOP-6封装的应用。
特性 Features
•Q1 0.7 A、20 V。RDS(ON) = 300 mΩ (VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 400 mΩ (VGS = 2.5 V)
•Q2 -0.6A, -20V。RDS(ON) = 420 mΩ (VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 630 mΩ (VGS = -2.5 V)
•低栅极电荷
•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(ON)
•SC70-60封装小尺寸（比标准SSOT-6小51%）；薄型（1mm厚）。
•符合 AEC Q101 标准
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 信息娱乐
• 便携导航
• 信息娱乐
• 其他
• 传动系
• 安全和控制
• 舒适与便捷
• 人体电子
• 车辆安全系统
• 其他车用
技术参数
- 制造商编号
：FDG6332C_F085
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- Channel Polarity
：Complementary
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：±20
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：±1.5
- ID Max (A)
：N: 0.7
- PD Max (W)
：0.3
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：N:400
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：N: 300
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：1.2
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：1.4
- Ciss Typ (pF)
：114
- Package Type
：SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
VB |
25+ |
SC70-6 |
18985 |
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询价 | ||
ON/FAIRCHILD |
20+ |
SC70-6 |
36800 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
Onsemi |
两年内 |
NA |
809 |
实单价格可谈 |
询价 | ||
ON |
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SC70-6 |
60 |
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NA |
23+ |
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询价 | ||
FAIRCHILD |
2016 |
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ON |
23+ |
SC70-6 |
20000 |
询价 | |||
ON |
25+ |
SOT23 |
9000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2223+ |
SC70-6 |
26800 |
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询价 |
