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FDH047AN08A0	文件：606.43 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.7m? Features • rDS(ON) = 4.0mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A • Qg(tot) = 92nC (Typ.), VGS = 10V • Low Miller Charge • Low QRR Body Diode • UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) • Qualified to AEC Q101 Applications • 42V Automotive Load Control • Starter / Altern 文件：606.43 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDH047AN08A0	文件：344.71 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 15A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=75V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 4.7Ω(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·Designed for use in switch mod 文件：344.71 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDH047AN08A0	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，75V，80A，4.7mΩ N-Channel PowerTrench® MOSFET 75V, 80A, 4.7mΩ •RDS(on) = 4.0mΩ（典型值）@ VGS = 10V, ID = 80A\n•QG(tot) = 92nC（典型值）@ VGS = 10V\n•低米勒电荷\n•低 Qrr体二极管\n•UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDI047AN08A0	文件：606.43 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.7m? Features • rDS(ON) = 4.0mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A • Qg(tot) = 92nC (Typ.), VGS = 10V • Low Miller Charge • Low QRR Body Diode • UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) • Qualified to AEC Q101 Applications • 42V Automotive Load Control • Starter / Altern 文件：606.43 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDI047AN08A0	文件：299.2 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=75V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 4.7mΩ(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·Designed for use in switch mo 文件：299.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDP047AN08A0	文件：606.43 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.7m? Features • rDS(ON) = 4.0mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A • Qg(tot) = 92nC (Typ.), VGS = 10V • Low Miller Charge • Low QRR Body Diode • UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) • Qualified to AEC Q101 Applications • 42V Automotive Load Control • Starter / Altern 文件：606.43 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
80
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
2.5
ID Max (A)：
80
PD Max (W)：
310
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
4.7
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
92
Ciss Typ (pF)：
6600
Package Type：
TO-247-3

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更多FDH047AN08A0供应商更新时间2025-12-11 10:22:00

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