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FDP047AN08A0分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

FDP047AN08A0

参数属性

FDP047AN08A0 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3

功能描述

N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.7m?

封装外壳

TO-220-3

文件大小

606.43 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

Fairchild

中文名称

仙童半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-9 20:47:00

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FDP047AN08A0规格书详情

特性 Features

• rDS(ON) = 4.0mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A

• Qg(tot) = 92nC (Typ.), VGS = 10V

• Low Miller Charge

• Low QRR Body Diode

• UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

• Qualified to AEC Q101

Applications

• 42V Automotive Load Control

• Starter / Alternator Systems

• Electronic Power Steering Systems

• Electronic Valve Train Systems

• DC-DC converters and Off-line UPS

• Distributed Power Architectures and VRMs

• Primary Switch for 24V and 48V systems

产品属性

  • 产品编号:

    FDP047AN08A0-F102

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • FET 类型:

    N 通道

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    15A(Tc)

  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):

    6V,10V

  • Vgs(最大值):

    ±20V

  • 功率耗散(最大值):

    310W(Tc)

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 描述:

    MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3

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