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FDP047AN08A0分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
FDP047AN08A0 |
| 参数属性 | FDP047AN08A0 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 |
| 功能描述 | N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.7m? |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
606.43 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | Fairchild |
| 中文名称 | 仙童半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-9 20:47:00 |
| 人工找货 | FDP047AN08A0价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
FDP047AN08A0规格书详情
特性 Features
• rDS(ON) = 4.0mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A
• Qg(tot) = 92nC (Typ.), VGS = 10V
• Low Miller Charge
• Low QRR Body Diode
• UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
• Qualified to AEC Q101
Applications
• 42V Automotive Load Control
• Starter / Alternator Systems
• Electronic Power Steering Systems
• Electronic Valve Train Systems
• DC-DC converters and Off-line UPS
• Distributed Power Architectures and VRMs
• Primary Switch for 24V and 48V systems
产品属性
- 产品编号:
FDP047AN08A0-F102
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- FET 类型:
N 通道
- 技术:
MOSFET(金属氧化物)
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
15A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
6V,10V
- Vgs(最大值):
±20V
- 功率耗散(最大值):
310W(Tc)
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 供应商器件封装:
TO-220-3
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 描述:
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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