FDC6561AN中文资料双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET，逻辑电平，30V，2.5A，95mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDC6561AN规格书详情
描述 Description
这些P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 此类器件非常适合所有需要小尺寸，特别是电池供电系统中需要低成本DC/DC转换的应用。
特性 Features
•2.5 A, 30 V
•RDS(ON) = 0.095 Ω @ VGS = 10 V
•RDS(ON) = 0.145 Ω @ VGS = 4.5 V
•极快速开关
•低栅极电荷（2.1nC，典型值）
•SuperSOT™-6封装： 小尺寸（比标准SO-8封装小72%）；薄型（1mm厚）
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDC6561AN
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：2.5
- PD Max (W)
：0.96
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=145
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：Q1=Q2=95
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：2.3
- Ciss Typ (pF)
：220
- Package Type
：TSOT-23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NA |
22+ |
Onsemi |
12000 |
原装正品现货,可出样品可开税票 |
询价 | ||
ON |
24+ |
SOT23-6 |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
ON |
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N/A |
70000 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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SOT23 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
SOT-23 |
18000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TSOP-6 |
100586 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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ON |
24+ |
TSOT-23-6 |
25000 |
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询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
SOT23-6 |
18560 |
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询价 | ||
ON(安森美) |
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SSOT-6 |
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ON |
24+ |
SOT23-6 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 |
