FDC6506P数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDC6506P规格书详情
描述 Description
这些P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 这些器件经过专门设计，能以极小的尺寸提供出色的功耗，非常适合那些不宜采用更大更昂贵的SO-8和TSSOP-8封装的应用。
特性 Features
•-1.8 A，-30 V。
•RDS(on) = 0.170 Ω @ VGS = -10 V
•RDS(on) = 0.280 Ω @ VGS = -4.5 V
•低栅极电荷（典型值2.3nC）
•快速开关速度。
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•SuperSOT™-6封装： 小尺寸（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDC6506P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：-30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：-3
- ID Max (A)
：-1.8
- PD Max (W)
：0.96
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=280
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：Q1=Q2=170
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：2.3
- Ciss Typ (pF)
：190
- Package Type
：TSOT-23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SOT23-6 |
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