FDC654P中文资料P 沟道，PowerTrench® MOSFET，逻辑电平，-30V，-3.6A，75mΩ数据手册ONSEMI规格书

厂商型号	FDC654P
功能描述	P 沟道，PowerTrench® MOSFET，逻辑电平，-30V，-3.6A，75mΩ
制造商	ONSEMI ON Semiconductor
中文名称	安森美半导体
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-9-25 22:58:00
人工找货	FDC654P价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

描述 Description

此P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆高级PowerTrench工艺生产。它已针对电池的电源管理应用进行了优化。

特性 Features

•-3.6 A，-30 V
•RDS(ON) = 75 mΩ @ VGS = 10 V
•RDS(ON) = 125 mΩ @ VGS = -4.5 V
•低栅极电荷（6.2nC，典型值）
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

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