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FDB039N06

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60V, 174A, 3.9mW

文件:544.18 Kbytes 页数:8 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDB039N06

N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 174A, 3.9mW

ONSEMI

安森美半导体

FDB039N06_12

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60V, 174A, 3.9m廓

文件:271.73 Kbytes 页数:8 Pages

Fairchild

仙童半导体

BSC039N06NS

OptiMOSTM Power-Transistor

文件:563.94 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

BSC039N06NS

New OptiMOS??40V and 60V

文件:1.02174 Mbytes 页数:2 Pages

Infineon

英飞凌

BSZ039N06NS

OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V

文件:1.08816 Mbytes 页数:11 Pages

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    FDB039N06

  • 功能描述:

    MOSFET PT3 Low Qg 60V, 3.9Mohm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
24+
TO-263
8357
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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FAIRCHILD/仙童
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TO-263(D2PAK)
36900
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FAIRCHILD/仙童
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TO-263
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FAIRCHILD/仙童
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TO-263
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全新原装正品现货,支持订货
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Fairchild/ON
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
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更多FDB039N06供应商 更新时间2025-11-30 16:12:00