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FDB15N50	文件：194.94 Kbytes Page：6 Pages	15A, 500V, 0.38 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFET Features •LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandHighReapplieddv/dtRuggedness •ReducedrDS(ON) •ReducedMillerCapacitanceandLowInputCapacitance •ImprovedSwitchingSpeedwithLowEMI •175°CRatedJunctionTemperature Applications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDB15N50	文件：50.18 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel SMPS Power MOSFET Features ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandHighReapplieddv/dtRuggedness ●ReducedrDS(ON) ●ReducedMillerCapacitanceandLowInputCapacitance ●ImprovedSwitchingSpeedwithLowEMI	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
FDB15N50	文件：332.17 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
15N50	文件：1.039069 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
15N50	文件：248.29 Kbytes Page：6 Pages	15A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
15N50	文件：1.54489 Mbytes Page：12 Pages	15A500VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
15N50K-MT	文件：213.35 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
AF15N50	文件：252.84 Kbytes Page：9 Pages	50VN-ChannelMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
E15N50	文件：1.54489 Mbytes Page：12 Pages	15A500VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
F15N50	文件：1.54489 Mbytes Page：12 Pages	15A500VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
FDH15N50	文件：194.94 Kbytes Page：6 Pages	15A,500V,0.38Ohm,N-ChannelSMPSPowerMOSFET Features •LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandHighReapplieddv/dtRuggedness •ReducedrDS(ON) •ReducedMillerCapacitanceandLowInputCapacitance •ImprovedSwitchingSpeedwithLowEMI •175°CRatedJunctionTemperature Applications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDH15N50	文件：344.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchm	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDP15N50	文件：331.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDP15N50	文件：194.94 Kbytes Page：6 Pages	15A,500V,0.38Ohm,N-ChannelSMPSPowerMOSFET Features •LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandHighReapplieddv/dtRuggedness •ReducedrDS(ON) •ReducedMillerCapacitanceandLowInputCapacitance •ImprovedSwitchingSpeedwithLowEMI •175°CRatedJunctionTemperature Applications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
HM15N50	文件：505.78 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司
HM15N50F	文件：505.78 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司
I15N50	文件：1.54489 Mbytes Page：12 Pages	15A500VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
KDB15N50	文件：50.18 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelSMPSPowerMOSFET Features ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandHighReapplieddv/dtRuggedness ●ReducedrDS(ON) ●ReducedMillerCapacitanceandLowInputCapacitance ●ImprovedSwitchingSpeedwithLowEMI	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
KF15N50N	文件：69.45 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS(Min.)=500V,ID=15A •Drain-SourceONRes	KECKEC CORPORATION KEC株式会社
MS15N50	文件：426.13 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司

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详细参数

型号：
FDB15N50
功能描述：
MOSFET 15A 500V 0.38 Ohm N-Ch SMPS Pwr
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	FDB15N50	onsemi	23+	D2PAK(TO-263)	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市亚泰盈科电子有限公司	FDB15N50	FAIRCHILD		SOT-263	30216	提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	询价
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