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DMP2004VK	文件：147.93 Kbytes Page：5 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •DualP-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltageVG	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMP2004VK-7	文件：147.93 Kbytes Page：5 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •DualP-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltageVG	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMP2004WK	文件：223.98 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltageVGS(th)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMP2004WK-7	文件：223.98 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltageVGS(th)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMP2012SN	文件：202.82 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitching	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMP2012SN-7	文件：202.82 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitching	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMP2022LSS-13	文件：1.45562 Mbytes Page：5 Pages	P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=-20V,ID=-13A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
DMP2040USS	文件：511.36 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LowOn-Resistance LowGateThresholdVoltage LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMP2040USS-13	文件：511.36 Kbytes Page：7 Pages	Marking：P2040US；Package：SO-8；P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LowOn-Resistance LowGateThresholdVoltage LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMP2040UVT	文件：373.99 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LowInputCapacitance LowOn-Resistance FastSwitchingSpeed TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

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详细参数

型号：
DMP
功能描述：
SHIELD RF REMOVBL .5 X .5 X .25
RoHS：
是
类别：
RF/IF 和 RFID >> RF 屏蔽
系列：
-
标准包装：
1
类型：
1 件高度 -
总计：
0.5（12.7mm）长度 -
总体：
2（50.8mm）宽度 -
总计：
3（76.2mm）
通风：
实心
安装类型：
表面贴装
包装：
散装
产品目录页面：
560(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
655-1007

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