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DMP2123L-7	文件：170.17 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowRDS(ON) ◾72mΩ@VGS=-4.5V ◾108mΩ@VGS=-2.7V ◾123mΩ@VGS=-2.5V •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighRelia	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2123LQ	文件：494.48 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowRDS(ON) -72mΩ@VGS=-4.5V -108mΩ@VGS=-2.7V -123mΩ@VGS=-2.5V •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliabil	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2123LQ	文件：1.94327 Mbytes Page：5 Pages	Marking：A1SHB；Package：SOT-23；-20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. TheusesadvancedtrenchtechnologyDMP2123LQ GeneralFeatures VDS=-20VID =-2.3A RDS(ON)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
DMP2123LQ-13	文件：494.48 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowRDS(ON) -72mΩ@VGS=-4.5V -108mΩ@VGS=-2.7V -123mΩ@VGS=-2.5V •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliabil	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2123LQ-7	文件：494.48 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowRDS(ON) -72mΩ@VGS=-4.5V -108mΩ@VGS=-2.7V -123mΩ@VGS=-2.5V •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliabil	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2130L	文件：2.53911 Mbytes Page：6 Pages	P-Channel Mosfet Application «+Load/PowerSwitching «InterfacingSwitching *LogicLevelShift	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
DMP2130LDM	文件：169.08 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowRDS(ON): •80mΩ@VGS=-4.5V •110mΩ@VGS=-2.7V •130mΩ@VGS=-2.5V •LowInput/OutputLeakage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Note4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2130LDM-7	文件：169.08 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowRDS(ON): •80mΩ@VGS=-4.5V •110mΩ@VGS=-2.7V •130mΩ@VGS=-2.5V •LowInput/OutputLeakage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Note4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2215L	文件：145.1 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowOn-Resistance: ◾RDS(ON)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2215L	文件：164.69 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowOn-Resistance: RDS(ON)	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI

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详细参数

型号：
DMP
功能描述：
SHIELD RF REMOVBL .5 X .5 X .25
RoHS：
是
类别：
RF/IF 和 RFID >> RF 屏蔽
系列：
-
标准包装：
1
类型：
1 件高度 -
总计：
0.5（12.7mm）长度 -
总体：
2（50.8mm）宽度 -
总计：
3（76.2mm）
通风：
实心
安装类型：
表面贴装
包装：
散装
产品目录页面：
560(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
655-1007

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市博浩通科技有限公司	DMP-VCX2179	ACCEPTED	23+	原厂原包	8890	价格优势、原装现货、客户至上。欢迎广大客户来电查询	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	DMP2225L-7	DIODES	24+	原厂原封	6000	原装进口香港现货价优	询价
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