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DMN2170U-7	文件：157.11 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Low On-Resistance • 70mΩ @VGS = 4.5V • 100mΩ @VGS = 2.5V • 170mΩ @VGS = 1.5V • Very Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant Green Device (Notes 2, 3 and 6) • Qualified to AEC-Q101 S 文件：157.11 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2170U-7	文件：376.49 Kbytes Page：7 Pages	Low On-Resistance 文件：376.49 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2300UFD-7-81	文件：0 bytes Page：0 Pages	X1-DFN1212-3	DIODES/美台上传：深圳市纳睿斯电子科技有限公司	DIODES/美台
DMN24H3D5L-7	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23	DIODES 美台半导体上传：深圳市科芯源微电子有限公司	DIODES
DMN26D0UT-7	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-523	DIODES 美台半导体上传：深圳市宇创芯科技有限公司	DIODES

详细参数

型号：
DMN2170U-7
功能描述：
MOSFET 600mW 20Vdss
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多DMN2170U-7供应商更新时间2026-10-2 8:30:00

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