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DMN26D0UFB4	文件：127.9 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description ThisnewgenerationMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))yetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. FeaturesandBenefits •N-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresho	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN26D0UFB4	文件：291.91 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN26D0UFB4_12	文件：130.69 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN26D0UFB4_15	文件：435.11 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN26D0UFB4_16	文件：291.91 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN26D0UFB4-7	文件：130.69 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN26D0UFB4-7	文件：291.91 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN26D0UFB4-7	文件：435.11 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN26D0UFB4-7B	文件：130.69 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN26D0UFB4-7B	文件：435.11 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

详细参数

型号：
DMN26D0UFB4
制造商：
DIODES
制造商全称：
Diodes Incorporated
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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