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DMN26D0UFB4	文件：127.9 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Features and Benefits • N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Very Low Gate Thresho 文件：127.9 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN26D0UFB4	文件：291.91 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：291.91 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN26D0UFB4	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN26D0UFB4_12	文件：130.69 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：130.69 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN26D0UFB4_15	文件：435.11 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：435.11 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN26D0UFB4_16	文件：291.91 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：291.91 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN26D0UFB4-7	文件：435.11 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：435.11 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN26D0UFB4-7	文件：130.69 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：130.69 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN26D0UFB4-7	文件：291.91 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：291.91 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN26D0UFB4-7B	文件：130.69 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：130.69 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
N/A ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
0.35 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
3000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
4000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
6000 mΩ
VGS (th) Max：
1.05 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
X2-DFN1006-3

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