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首页>DMN26D0UFB4>芯片详情
DMN26D0UFB4_PSEMI_N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR科恒伟业商城
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号
：DMN26D0UFB4
- Automotive Compliant PPAP
：On Request*
- Polarity
：N
- ESD Diodes
：Yes
- VDS
：20 V
- VGS
：N/A ±V
- IDS @ TA = +25°C
：N/A A
- PD @ TA = +25°C
：0.35 W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)
：N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)
：3000 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)
：4000 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)
：6000 mΩ
- VGS (th) Max
：1.05 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)
：N/A nC
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)
：N/A nC
- Packages
：X2-DFN1006-3
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