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DMN26D0UFB4-7中文资料美台半导体数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
DMN26D0UFB4-7
- 功能描述：
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
25+ |
DFN1006-3 |
27136 |
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DIODES/美台 |
24+ |
NA |
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DIODES/美台 |
24+ |
DFN1006 |
8000 |
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DIODES/美台 |
2023+ |
DFN |
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DIODES/美台 |
24+ |
DFN1006 |
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DIODES/美台 |
20+ |
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DIODES/美台 |
23+ |
X2-DFN1006-3 |
50000 |
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DIODES/美台 |
22+ |
DFN |
12245 |
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DIODES/美台 |
25+ |
X2-DFN1006-3 |
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Diodes(美台) |
24+ |
X2-DFN1006-3 |
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原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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