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DMN3033LSD	文件：158.85 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Dual N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low 文件：158.85 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3033LSD-13	文件：158.85 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Dual N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low 文件：158.85 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3033LSDQ	文件：410.62 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in: • Backlighting • Power Management Functions • DC-DC Converters Features • Low On-Resistance • Low Gat 文件：410.62 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3033LSDQ-13	文件：410.62 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in: • Backlighting • Power Management Functions • DC-DC Converters Features • Low On-Resistance • Low Gat 文件：410.62 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3033LSD_15	文件：240.89 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：240.89 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3033LSD	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN3033LSDQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Low On-Resistance\nLow Gate Threshold Voltage\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage\nTotally Lead-Free & Fully RoHS Compliant\nHalogen and Antimony Free. “Green” Device\nQualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability\nPPAP Capable;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMN3033LSDQ
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
6.9 A
PD @ TA = +25°C：
2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
22 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
33 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
13 nC
Packages：
SO-8

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