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DMN26D0UDJ	文件：115.21 Kbytes Page：5 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：115.21 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN26D0UDJ	文件：755.2 Kbytes Page：4 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：755.2 Kbytes 页数：4 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
DMN26D0UDJ	文件：740.03 Kbytes Page：4 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：740.03 Kbytes 页数：4 Pages	ZHAOXINGWEI	ZHAOXINGWEI
DMN26D0UDJ_15	文件：331.19 Kbytes Page：5 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：331.19 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN26D0UDJ-7	文件：115.21 Kbytes Page：5 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：115.21 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN26D0UDJ	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate\nresistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching\nperformance, making it ideal for high efficiency power management\napplications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
10 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.24 A
PD @ TA = +25°C：
0.3 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
3000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
4000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
6000 mΩ
VGS (th) Max：
1.05 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT963

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金嘉锐电子有限公司	DMN26D0UDJ	DIODES	2025+	SOT-963	32560	原装优势绝对有货	询价
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更多DMN26D0UDJ供应商更新时间2025-10-4 14:09:00

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