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DMMT5551S	文件：77.16 Kbytes Page：3 Pages	MATCHEDNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(DMMT5401) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •IntrinsicallyMatchedNPNPair(Note1) •2MatchedTolerance,hFE,VCE(SAT),VBE(SAT) •LeadFree/RoHSCompliant(Note4) •GreenDevice(Note5an	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMMT5551-TP	文件：78.85 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features •SurfaceMountSOT-363Package •200mWattsofPowerDissipation •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0andMSLRating1 •Marking:K4R	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
DXT5551	文件：238.33 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages.	DCCOM Dc Components	DCCOM
DXT5551	文件：372.59 Kbytes Page：6 Pages	160VNPNTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DZT5551	文件：177.77 Kbytes Page：4 Pages	NPNSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>160V •BVEBO>6V •IC=600mAContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltage(150mVmax@10mA) •hFEspecifiedupto50mAforahighgainholdup •ComplementaryPNPType:DZT5401 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAnti	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DZT5551Q	文件：492.12 Kbytes Page：7 Pages	160VNPNVOLTAGETRANSISTORINSOT223 Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>160V •BVEBO>6V •IC=600mAContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltage(150mVmax@10mA) •hFEspecifiedupto50mAforahighgain	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
E5551	文件：5.98887 Mbytes Page：294 Pages	HighPerformance,LowPowerAtmelAVR8-bitMicrocontrollerAdvancedRISCArchitecture	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
FFB5551	文件：112.7 Kbytes Page：5 Pages	Dual-ChipNPNGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FFB5551	文件：247.19 Kbytes Page：5 Pages	Dual-ChipNPNGeneral-PurposeAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FMB5551	文件：29.23 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifierSuperSOT-6SurfaceMountPackage	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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技术参数

Case：
SOT-89 (TO-243AA)
Configuration/ Description：
NPN High Voltage
Polarity：
NPN
IC MAX：
1A
PD MAX：
1.2W
VCEO MAX：
160V
hFE MIN：
80
hFE MAX：
250
@VCE：
5V
VCE(SAT) MAX：
150mV
@IC：
10mA
@IB：
1mA
Cob MAX：
15pF
fT MIN：
100MHz

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