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DZT5551Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	160V NPN TRANSISTOR VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT223 This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. BVCEO > 160V\nBVEBO > 6V\nIC = 600mA Continuous Collector Current\nLow Saturation Voltage (150mV max @10mA)\nhFE Specified Up to 50mA for a High Gain Hold Up\nComplementary PNP Type: DZT5401\nTotally Lead-Free & Fully RoHS Compliant\nHalogen and Antimony Free. “Green” Device\nQualified to AEC-Q101 S;	Diodes 美台半导体	Diodes
DZT5551Q	文件：492.12 Kbytes Page：7 Pages	160V NPN VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT223 Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. Features • BVCEO > 160V • BVEBO > 6V • IC = 600mA Continuous Collector Current • Low Saturation Voltage (150mV max @10mA) • hFE specified up to 50mA for a high gain 文件：492.12 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DZT5551Q-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3	DIODES 美台半导体	DIODES
E5551	文件：5.98887 Mbytes Page：294 Pages	High Performance, Low Power Atmel AVR 8-bit Microcontroller Advanced RISC Architecture 文件：5.98887 Mbytes 页数：294 Pages	ATMEL 爱特梅尔	ATMEL
FFB5551	文件：112.7 Kbytes Page：5 Pages	Dual-Chip NPN General Purpose Amplifier 文件：112.7 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FFB5551	文件：247.19 Kbytes Page：5 Pages	Dual-Chip NPN General-Purpose Amplifier 文件：247.19 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Product Type：
NPN
IC：
0.6 A
ICM：
1 A
PD：
2 W
hFE：
80 Min
hFE (@ IC)：
0.01 A
hFE (Min 2)：
30
hFE (@ IC2)：
0.05 A
VCE (SAT) Max：
150 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
0.1/1
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A)：
0.05/5
fT (MHz)：
100
VCE (SAT) (Max.2)：
200 mV
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT223

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