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FMBT5551	文件：409.24 Kbytes Page：8 Pages	600mASiliconNPNEpitaxialPlanarTransistor 600mASiliconNPNEpitaxialPlanarTransistor Features •Highcollector-emitterbreakdienvoltage. (BVCEO=140V~160V@IC=1mA) •Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposehighvoltage amplifiersandgasdischargedisplaydriving •Epitaxialplanardieconstruction •ComplememntaryPN	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA

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