首页>DZT5551Q>规格书详情

DZT5551Q数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

PDF无图
厂商型号

DZT5551Q

参数属性

DZT5551Q 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3

功能描述

160V NPN TRANSISTOR VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT223

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-6 23:00:00

人工找货

DZT5551Q价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

DZT5551Q规格书详情

描述 Description

This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications.

特性 Features

BVCEO > 160V
BVEBO > 6V
IC = 600mA Continuous Collector Current
Low Saturation Voltage (150mV max @10mA)
hFE Specified Up to 50mA for a High Gain Hold Up
Complementary PNP Type: DZT5401
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant
Halogen and Antimony Free. “Green” Device
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
PPAP Capable

应用 Application

High Voltage Amplification Applications
High Voltage Switching

技术参数

  • 制造商编号

    :DZT5551Q

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :Yes

  • Product Type

    :NPN

  • IC

    :0.6 A

  • ICM

    :1 A

  • PD

    :2 W

  • hFE

    :80 Min

  • hFE (@ IC)

    :0.01 A

  • hFE (Min 2)

    :30

  • hFE (@ IC2)

    :0.05 A

  • VCE (SAT) Max

    :150 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)

    :0.1/1

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A)

    :0.05/5

  • fT (MHz)

    :100

  • VCE (SAT) (Max.2)

    :200 mV

  • RCE(SAT)

    :N/A mΩ

  • Packages

    :SOT223

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Diodes(美台)
24+
SOT223
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
询价
DIODES/美台
24+
NA/
15320
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
DIODES/美台
25+
SOT-223-3
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
DIODES/美台
25+
SOT-223
1000
原装正品,假一罚十!
询价
DIODES/美台
20+
SMD
88800
DIODES原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
DIODES
19+
SOT-223
7220
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
Diodes(美台)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
询价
DIODES
21+
SOT-223
7220
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询!
询价
DIODES
21+
SOT-223
9400
原装现货假一赔十
询价
Diodes Incorporated
25+
TO-261-4 TO-261AA
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价