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DMMT5551S	文件：77.16 Kbytes Page：3 Pages	MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary PNP Type Available (DMMT5401) • Ideal for Low Power Amplification and Switching • Intrinsically Matched NPN Pair (Note 1) • 2 Matched Tolerance, hFE, VCE(SAT), VBE(SAT) • Lead Free/RoHS Compliant (Note 4) • Green Device (Note 5 an 文件：77.16 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMMT5551S	文件：101.9 Kbytes Page：4 Pages	MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：101.9 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMMT5551S-7	文件：77.16 Kbytes Page：3 Pages	MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary PNP Type Available (DMMT5401) • Ideal for Low Power Amplification and Switching • Intrinsically Matched NPN Pair (Note 1) • 2 Matched Tolerance, hFE, VCE(SAT), VBE(SAT) • Lead Free/RoHS Compliant (Note 4) • Green Device (Note 5 an 文件：77.16 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMMT5551S-7-F	文件：121.09 Kbytes Page：4 Pages	MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：121.09 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMMT5551S-7-F	文件：101.9 Kbytes Page：4 Pages	MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：101.9 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMMT5551S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual NPN, 160V, 0.2A, SOT26	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
On Request*
Polarity：
NPN + NPN
IC(A)：
0.2
hFEMin：
80
PD (W)：
0.3 W
hFEMax：
250
VCE (SAT)：
150 mV
@ IB (mA)：
1 mA
fT (MHz)：
300 MHz
Packages：
SOT26

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMMT5551S供应商更新时间2025-10-7 9:01:00

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