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DMMT5551S	文件：77.16 Kbytes Page：3 Pages	MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(DMMT5401) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •IntrinsicallyMatchedNPNPair(Note1) •2MatchedTolerance,hFE,VCE(SAT),VBE(SAT) •LeadFree/RoHSCompliant(Note4) •GreenDevice(Note5an	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMMT5551S	文件：101.9 Kbytes Page：4 Pages	MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMMT5551S-7	文件：77.16 Kbytes Page：3 Pages	MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(DMMT5401) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •IntrinsicallyMatchedNPNPair(Note1) •2MatchedTolerance,hFE,VCE(SAT),VBE(SAT) •LeadFree/RoHSCompliant(Note4) •GreenDevice(Note5an	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMMT5551S-7-F	文件：101.9 Kbytes Page：4 Pages	MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMMT5551S-7-F	文件：121.09 Kbytes Page：4 Pages	MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMMT5551-TP	文件：78.85 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features •SurfaceMountSOT-363Package •200mWattsofPowerDissipation •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0andMSLRating1 •Marking:K4R	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
DXT5551	文件：238.33 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages.	DCCOM Dc Components	DCCOM
DXT5551	文件：372.59 Kbytes Page：6 Pages	160VNPNTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DZT5551	文件：177.77 Kbytes Page：4 Pages	NPNSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>160V •BVEBO>6V •IC=600mAContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltage(150mVmax@10mA) •hFEspecifiedupto50mAforahighgainholdup •ComplementaryPNPType:DZT5401 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAnti	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DZT5551Q	文件：492.12 Kbytes Page：7 Pages	160VNPNVOLTAGETRANSISTORINSOT223 Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>160V •BVEBO>6V •IC=600mAContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltage(150mVmax@10mA) •hFEspecifiedupto50mAforahighgain	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

详细参数

型号：
DMMT5551S
制造商：
Diodes Incorporated
功能描述：
TRANS NPNNPN MAT 180V 0.2A SOT26
功能描述：
TRANS, NPNNPN MAT, 180V, 0.2A, SOT26
功能描述：
TRANS, NPNNPN MAT, 180V, 0.2A, SOT26, Transistor
Polarity：
NPN, Collector Emitter
Polarity：
NPN, Collector Emitter Voltage
V(br)ceo：
160V, Power Dissipation
Pd：
300mW, DC Collector
Current：
200mA, DC Current Gain
hFE：
80, Operating Temperature
Min：
-55C, No. of
Pins：
6 , RoHS
Compliant：
Yes

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