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DMMT5551S-7-F	文件：101.9 Kbytes Page：4 Pages	MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
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DMMT5551S-7	文件：77.16 Kbytes Page：3 Pages	MATCHEDNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(DMMT5401) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •IntrinsicallyMatchedNPNPair(Note1) •2MatchedTolerance,hFE,VCE(SAT),VBE(SAT) •LeadFree/RoHSCompliant(Note4) •GreenDevice(Note5an	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技

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DMMT5551S-7-F

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MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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达尔科技

DMMT5551S-7-F

文件：121.09 Kbytes

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MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DMMT5551S-7

文件：77.16 Kbytes

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MATCHEDNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR

Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(DMMT5401) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •IntrinsicallyMatchedNPNPair(Note1) •2MatchedTolerance,hFE,VCE(SAT),VBE(SAT) •LeadFree/RoHSCompliant(Note4) •GreenDevice(Note5an

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

详细参数

型号：
DMMT5551S-7-F
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN BIPOLAR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMMT5551S-7-F供应商更新时间2024-4-27 14:14:00

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