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CSD23285F5中文资料采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、35mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书

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厂商型号

CSD23285F5

功能描述

采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、35mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-9-29 9:51:00

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CSD23285F5规格书详情

描述 Description

这款 29mΩ、–12V P 沟道 FemtoFET™MOSFET 技术经过了设计和优化,能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

特性 Features

• 低导通电阻
• 低 Qg和 Qgd
• 超小尺寸
• 1.53mm x 0.77mm
• 0.5mm 焊盘间距

• 薄型
• 高度为 0.35mm

• 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
• 额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM)
• 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)

• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 环保标准

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD23285F5

  • 生产厂家

    :TI

  • VGS (V)

    :-6

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :35

  • Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)

    :47

  • Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)

    :80

  • Id peak (Max) (A)

    :-31

  • Id max cont (A)

    :-3.3

  • QG typ (nC)

    :3.2

  • QGD typ (nC)

    :0.48

  • QGS typ (nC)

    :0.66

  • VGSTH typ (V)

    :-0.65

  • Package (mm)

    :LGA 1.5x0.8mm

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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