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CSD23285F5中文资料采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、35mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD23285F5规格书详情
描述 Description
这款 29mΩ、–12V P 沟道 FemtoFET™MOSFET 技术经过了设计和优化，能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
特性 Features
• 低导通电阻
• 低 Qg和 Qgd
• 超小尺寸
• 1.53mm x 0.77mm
• 0.5mm 焊盘间距
• 薄型
• 高度为 0.35mm
• 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
• 额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM)
• 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 环保标准
技术参数
- 制造商编号
：CSD23285F5
- 生产厂家
：TI
- VGS (V)
：-6
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：35
- Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
：47
- Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
：80
- Id peak (Max) (A)
：-31
- Id max cont (A)
：-3.3
- QG typ (nC)
：3.2
- QGD typ (nC)
：0.48
- QGS typ (nC)
：0.66
- VGSTH typ (V)
：-0.65
- Package (mm)
：LGA 1.5x0.8mm
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
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TI |
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TI/德州仪器 |
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