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CSD23285F5

12-V, P-Channel FemtoFET MOSFET

文件:1.16994 Mbytes 页数:14 Pages

TI

德州仪器

CSD23285F5

采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、35mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

这款 29mΩ、–12V P 沟道 FemtoFET™MOSFET 技术经过了设计和优化,能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。 • 低导通电阻\n• 低 Qg和 Qgd\n• 超小尺寸 \n• 1.53mm x 0.77mm\n• 0.5mm 焊盘间距\n \n• 薄型 \n• 高度为 0.35mm\n \n• 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管 \n• 额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM) \n• 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)\n \n• 无铅且无卤素\n• 符合 RoHS 环保标准;

TI

德州仪器

CSD23285F5T

12-V, P-Channel FemtoFET MOSFET

文件:1.16994 Mbytes 页数:14 Pages

TI

德州仪器

CSD25304W1015

TI
DSBGA-6

CSD25304W1015

TI
DSBGA-6

技术参数

  • VGS (V):

    -6

  • Configuration:

    Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms):

    35

  • Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms):

    47

  • Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms):

    80

  • Id peak (Max) (A):

    -31

  • Id max cont (A):

    -3.3

  • QG typ (nC):

    3.2

  • QGD typ (nC):

    0.48

  • QGS typ (nC):

    0.66

  • VGSTH typ (V):

    -0.65

  • Package (mm):

    LGA 1.5x0.8mm

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TI/德州仪器
2023+
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更多CSD23285F5供应商 更新时间2025-10-4 15:04:00