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CSD20060D	文件：168.04 Kbytes Page：4 Pages	ZERO RECOVERY RECTIFIER 文件：168.04 Kbytes 页数：4 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
CSD20120	文件：358.49 Kbytes Page：5 Pages	RECTIFIER 文件：358.49 Kbytes 页数：5 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
CSD20120D	文件：358.49 Kbytes Page：5 Pages	RECTIFIER 文件：358.49 Kbytes 页数：5 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
CSD20L45CT-A	文件：466.74 Kbytes Page：3 Pages	Super Low Barrier High Voltage Power Rectifier 文件：466.74 Kbytes 页数：3 Pages	CITC 竹懋科技	CITC
CSD20N45	文件：1.5696 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.5696 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
CSD22202W15	文件：999.71 Kbytes Page：12 Pages	P-Channel NexFET Power MOSFET 文件：999.71 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD22204W	文件：470.61 Kbytes Page：12 Pages	8 V P-Channel NexFET Power MOSFET 文件：470.61 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD22204W_15	文件：1.02841 Mbytes Page：15 Pages	CSD22204W ?? V P-Channel NexFET Power MOSFET 文件：1.02841 Mbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD22204WT	文件：470.61 Kbytes Page：12 Pages	8 V P-Channel NexFET Power MOSFET 文件：470.61 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD22205L	文件：618.32 Kbytes Page：11 Pages	8-V P-Channel NexFET Power MOSFET 文件：618.32 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI

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技术参数

VGS (V)：
-6
Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
9.9
Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)：
14
Id peak (Max) (A)：
-80
Id max cont (A)：
-5
QG typ (nC)：
18.9
QGD typ (nC)：
4.2
QGS typ (nC)：
3.2
VGSTH typ (V)：
-0.7
Package (mm)：
WLP 1.5x1.5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	CSD22204W	TI	25+	DSBGA-9	18798	原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。	询价
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