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CSD17575Q3中文资料采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD17575Q3规格书详情
描述 Description
这款 1.9mΩ，30V，SON 3×3 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。 顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 45°C/W，这是在一块厚度为 0.060 英寸的 FR4 印刷电路板 (PCB) 上的 1 平方英寸 2 盎司铜过渡垫片上测得的典型值。最大 RθJC = 1.5°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
特性 Features
• 低 Qg 和 Qgd
• 低 RDS(on)
• 低热阻
• 雪崩级
• 无铅端子镀层
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
应用 Application
用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
已针对同步场效应晶体管(FET)应用进行优化
技术参数
- 制造商编号
：CSD17575Q3
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：3.2
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
：2.3
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：240
- QG typ (nC)
：23
- QGD typ (nC)
：5.4
- Package (mm)
：SON3x3
- VGS (V)
：20
- VGSTH typ (V)
：1.4
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：182
- ID - package limited (A)
：60
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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