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CSD16408Q5	文件：204.28 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：204.28 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16408Q5_11	文件：323.07 Kbytes Page：11 Pages	The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications. 文件：323.07 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16408Q5C	文件：177.39 Kbytes Page：10 Pages	DualCool??N-Ch NexFET??Power MOSFET 文件：177.39 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16408Q5C_10	文件：340 Kbytes Page：11 Pages	The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications. 文件：340 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16409Q3	文件：351.51 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：351.51 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16403Q5A	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.7mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications. • Ultra Low Qg and Qgd\n• Avalanche Rated\n• RoHS Compliant\n• SON 5mm × 6mm Plastic Package\n• Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom and Computing Systems\n• Optimized for Control FET Applications\n \n NexFET is a trademark of Texas Instruments.;	TI 德州仪器	TI
CSD16404Q5A	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、7.2mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications. • Ultralow Qg and Qgd\n• Avalanche Rated\n• RoHS Compliant\n• SON 5-mm × 6-mm Plastic Package\n• Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom and Computing Systems\n• Optimized for Control FET Applications\n \n NexFET is a trademark of Texas Instruments.;	TI 德州仪器	TI
CSD16406Q3	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、7.4mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET This 25 V, 4.2 mΩ, 3.3 mm × 3.3 mm SON NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications. • Ultra-Low Qg and Qgd\n• Low Thermal Resistance\n• Avalanche Rated\n• Pb Free Terminal Plating\n• RoHS Compliant\n• Halogen Free\n• SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
3.7
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
2.8
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
184
QG typ (nC)：
13.3
QGD typ (nC)：
3.5
Package (mm)：
SON5x6
VGS (V)：
16
VGSTH typ (V)：
1.6
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
100
ID - package limited (A)：
100
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	CSD16403Q5A	TI/德州仪器	25+	SON8	32360	TI/德州仪器全新特价CSD16403Q5A即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多CSD1640供应商更新时间2025-10-4 14:14:00

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