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CSD16401Q5T	文件：361.09 Kbytes Page：13 Pages	25V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：361.09 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16403Q5A	文件：345.88 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：345.88 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16404Q5A	文件：511.26 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel NexFET??Power MOSFET 文件：511.26 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16406Q3	文件：364.51 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：364.51 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16406Q3	文件：385.68 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：385.68 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16406Q3	文件：1.006 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.006 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
CSD16406Q3_15	文件：385.68 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：385.68 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16407Q5	文件：340.52 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：340.52 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16407Q5C	文件：191.95 Kbytes Page：10 Pages	DualCool??N-Channel NexFET??Power MOSFET 文件：191.95 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16407Q5C_10	文件：345.7 Kbytes Page：11 Pages	ID The NexFET??power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications. 文件：345.7 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
3.7
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
2.8
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
184
QG typ (nC)：
13.3
QGD typ (nC)：
3.5
Package (mm)：
SON5x6
VGS (V)：
16
VGSTH typ (V)：
1.6
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
100
ID - package limited (A)：
100
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CSD1640供应商更新时间2025-10-4 14:14:00

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