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CSD15571Q2中文资料采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、19.2mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书

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厂商型号

CSD15571Q2

功能描述

采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、19.2mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器

数据手册

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更新时间

2025-12-16 20:00:00

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CSD15571Q2规格书详情

描述 Description

此 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换和负载管理应用中大大降低功率损耗。 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 封装提供针对封装尺寸的出色散热性能。 顶视图 RθJA = 50,这是在 1 平方英寸纯铜(2 盎司),厚度为 .060\" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上测得的值。脉冲持续时间 10μs,占空比 ≤ 2%

特性 Features

• 超低 Qg和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩级
• 无铅端子镀层
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装

应用 Application

针对负载开关应用进行了优化
存储、平板电脑和手持类器件
针对控制场效应晶体管(FET)应用进行了优化
负载点同步降压转换器

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD15571Q2

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :19.2

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :15

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :52

  • QG typ (nC)

    :2.5

  • QGD typ (nC)

    :0.66

  • Package (mm)

    :SON2x2

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :1.45

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :10

  • ID - package limited (A)

    :22

  • Logic level

    :Yes

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