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CGHV40030P中文资料30-W; DC – 6-GHz; 50-V; GaN HEMT数据手册MACOM规格书

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厂商型号

CGHV40030P

参数属性

CGHV40030P 封装/外壳为440196;包装为带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:30W, GAN HEMT, 50V, DC-6.0GHZ, P

功能描述

30-W; DC – 6-GHz; 50-V; GaN HEMT

封装外壳

440196

制造商

MACOM Tyco Electronics

数据手册

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更新时间

2025-11-20 10:20:00

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CGHV40030P规格书详情

描述 Description

Up to 6 GHz Operation 30 W Typical Output Power 16 dB Gain Application circuit for 0.96 – 1.4 GHz 70% Efficiency at PSAT 50 V Operation

特性 Features

• Up to 6 GHz Operation
•30 W Typical Output Power
•16 dB Gain
•Application circuit for 0.96 – 1.4 GHz
•70% Efficiency at PSAT
•50 V Operation

应用 Application

• L; S and C-Band amplifiers

技术参数

  • 制造商编号

    :CGHV40030P

  • 生产厂家

    :MACOM

  • Peak Output Power Range

    :25 - 49 W

  • Frequency Range

    :General Purpose

  • Technology

    :GaN on SiC

  • Frequency (Min)

    :DC

  • Frequency (Max)

    :6 GHz

  • Peak Output Power

    :30 W

  • Gain

    :16 dB

  • Efficiency

    :70%

  • Operating Voltage

    :50 V

  • Form

    :Packaged Discrete Transistor

  • Package Type

    :Pill

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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